第三类存储技术速度比U盘快万倍

来源:名资汇网 2018-04-13 10:56:40
分享到:

  导语:厉害了,我的国!近日,我国电子科学家开创了第三类存储技术速度比U盘快万倍,教授张卫、周鹏团队实现了具有颠覆性的二维半导体准非易失存储原型器件,写入速度比目前U盘快一万倍,数据存储时间也可自行决定。这解决了国际半导体电荷存储技术中“写入速度”与“非易失性”难以兼得的难题。北京时间4月10日,相关成果在线发表于《自然·纳米技术》杂志。

  第三类存储技术速度比U盘快万倍

  4月11日,复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队在实验室内合影。新华社记者丁汀摄

  原标题:我国科学家开创第三类存储技术

  新华社上海4月10日电(记者吴振东)近日,复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队实现了具有颠覆性的二维半导体准非易失存储原型器件,开创了第三类存储技术,写入速度比目前U盘快一万倍,数据存储时间也可自行决定。这解决了国际半导体电荷存储技术中“写入速度”与“非易失性”难以兼得的难题。

  北京时间4月10日,相关成果在线发表于《自然·纳米技术》杂志。

  4月11日,复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队成员刘春森在实验室内对硅片进行“电子束光刻”以及“定义图形”。

  据了解,目前半导体电荷存储技术主要有两类,第一类是易失性存储,例如计算机中的内存,掉电后数据会立即消失;第二类是非易失性存储,例如人们常用的U盘,在写入数据后无需额外能量可保存10年。前者可在几纳秒左右写入数据,第二类电荷存储技术需要几微秒到几十微秒才能把数据保存下来。

标签